非绝缘型晶闸管模块　Non-isolated Thyristor Modules

MTG,MTY model 型号Type IT(AV) VDRM VRRM VTM@ITM IDRM IRRM IGT VGT IH dv/dt di/dt ITSM Rjc Tjm 外形 A V V A mA mA V mA V/μs A/μs A×10 3 ℃/W ℃ Outline MTG100 MTY100 100 500-2500 1.67 300 12 100 2.5 100 800 100 3.20 0.250 125 S MTG150 MTY150 150 500-2500 1.67 450 12 100 2.5 100 800 100 5.10 0.160 125 Q MTG200 MTY200 200 500-2500 1.62 600 20 150 2.5 100 800 100 6.50 0.130 125 Q MTG250 MTY250 250 500-2500 1.65 750 20 150 2.5 100 800 100 8.50 0.100 125 Q MTG300 MTY300 300 500-2500 1.58 900 25 150 2.5 100 800 100 9.60 0.080 125 Q 注：*水冷 water cooling                         MDG,MDY model（非绝缘型整流管模块） 型号Type IT(AV) VRRM VFM @IFM IRRM IF(RMS) IFSM Rjc Tjm 外形 A V V A mA A A×10 3 ℃/W ℃ Outline MDG100 MDY100 100 500-2500 1.57 300 12 157 3.90 0.380 150 S MDG150 MDY150 150 500-2500 1.57 450 12 236 5.80 0.240 150 Q MDG200 MDY200 200 500-2500 1.50 600 20 314 8.00 0.200 150 Q MDG250 MDY250 250 500-2500 1.53 750 20 393 9.80 0.150 150 Q MDG300 MDY300 300 500-2500 1.50 900 25 471 11.50 0.130 150 Q 注：1、型号栏中MTX表示MTG、MTY中的任一种；2、型号栏中MDX表示MDG、MDY中的任一种。         　　     特点   Features ■ 非绝缘，底板为公共电极   ■ Non-insulation, the base-board is public electrode ■ 国际标准封装   ■ Packing with international standard ■ 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力   ■ Completely press-connection structure, with super temperature properties and power-cycling capability ■ 最高工作结温达140℃   ■ The highest work temperature can achieve 140℃ ■ 高浪涌电流   ■ High-surge current ■ 低正向压降   ■ Low forward-direction voltage being decreasing 　　   典型应用   Typical-application ■ 电焊机电源   ■ The power of electric-welder ■ 各种DC电源   ■ Kinds of DC power ■ 变频器   ■ Frequency-transformer       说明   Instruction ■ VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V   ■ VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V ■ 除非另作说明，IGT、VGT、IH、VTM、Viso均为25℃测试值，表中其它参数皆在Tjm下的测试值。   ■ Only if proved separately, theIGT、VGT、IH、VTM、Viso are the tested ＆#118alue below 25℃, other parameters inside form all are the tested ＆#118alue below Tjm ■ I2t=I2TSMtw/2；tw＝正弦半波电流底宽。在50Hz， I2t(10ms)=0.005I2TSM(A2S)   ■ I2t=I2FSMtw/2；tw:the tw inside equation is sine semi wave current base-width, in the case of 50Hz, I2t(10ms)=0.005I2FSM(A2S) ■ 当使用在频率为60Hz情况下，   ■ If used in the case of frequency below 60Hz, 60Hz,IFSM(8.3ms)=1.066IFSM(10ms) IFSM(8.3ms)=1.066IFSM(10ms) I2t(8.3ms)=0.943I2t(10ms)   I2t(8.3ms)=0.943I2t(10ms)

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